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（原标题：OPPO Find X8发布一个色农夫导航，英诺赛科为其注入AllGaN黑科技）

10月24日，各人跳跃的智能结尾制造商OPPO发布了最新的旗舰手机 Find X8/X8 pro，主打漂荡直屏和影像旗舰，天玑9400处理器与潮汐引擎的超强成就，配合冰川电板与极速充电时间，大要为用户带来畅通的操作体验和握久的续航弘扬。

据了解，OPPO 这次发布的Find X8/X8 pro系列手机接管了英诺赛科全链路氮化镓(AllGaN)时间，从电源侧的快速充电(80W超等闪充和50W无线充)得手机里面主板的充电过压保护(OVP)，均接管了英诺赛科氮化镓。

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据悉，英诺赛科是各人功率半导体立异的率领者，亦然各人最大的氮化镓芯片制造企业。公司接管IDM全产业链生意模式，并在各人范围内初次罢认知先进的8英寸氮化镓量产工艺，是各人氮化镓行业的龙头企业，于2023-2024年，调和2年入选“胡润各人独角兽榜”。

英诺赛科的氮化镓产物用于多样低中高压利用场景，产物研发范围散失15V至1200V，涵盖晶圆、分立器件、IC、模组，并为客户提供全氮化镓搞定决策。设立于今，英诺赛科领有近700项专利及专利苦求，产物可平时利用于滥用电子、可再活泼力及工业利用、汽车电子及数据中心等前沿边界。

全链路氮化镓(AllGaN)时间

第三代半导体氮化镓材料具备高能效、高频率的特质，大要打造体积更小、充电更快且安全性更高的产物。

OPPO 在Find X8/X8 pro系列手机主板充电过压保护和50W无线充产物中，接管了英诺赛科40V双向导通芯片VGaN，奇米影视网址是多少一颗替代两颗背靠背的 Si MOS，大大简化了里面空间，使产物野心愈加漂荡。同期，VGaN 具备双向导通或关断的特质，能在手机充电经由中对电板进行主动保护，增强了安全性和使用寿命。50W无线充更是闲隙了用户遍地随时快速充电的需求。

充电侧的超等闪充则接管了英诺赛科高压GaN，该芯片接管TO-252 封装，阻抗更低，散热更强，后果更高。确认 OPPO 官方数据对比，接管英诺赛科高压 GaN 的80W 超等闪充与此前标配的80W适配器相比，体积减小约18%，随身佩戴更便捷。

各人跳跃的智能结尾制造商聘任与英诺赛科长期深度衔尾，体现了其对创新时间和产物质能的信心和决心。据了解，该厂商已有多个系列产物(包括 Find X7/X8/Ultra，Realme GT 系列，一加 Ace 系列，以及 50W~150W 快充)的主板和充电器均接管了英诺赛科 AllGaN 时间，罢认知产物质能与竞争力的跳跃。

氮化镓赋能明天，共促行业创新

氮化镓材料以其高频、高电子挪动率、强抗放射身手及低导通电阻等超卓特质，正迟缓转变功率半导体行业款式。巨擘机构预测，2023年至2028年间，各人氮化镓功率半导体市集限制将已矣指数级增长，复合年增长率高达98.5%，市集后劲浩瀚。

当作各人功率半导体立异的前驱，英诺赛科握续引颈氮化镓功率半导体行业进入加快发展阶段，弗若斯特沙利文瞻望至2028年，各人市集限制将达到501.4亿元东说念主民币。

占据上风赛说念，据悉，英诺赛科最近三年业务高速增长，收入由2021年的6821.5万元(东说念主民币，下同)增多至2023年的5.9亿元，2021年-2023年，收入复合年增长率高达194.8%。

一方面各人氮化镓下贱利用进入爆发期，需求端强力拉动，另一方面成绩于公司长期富足远见的政策布局，英诺赛科接管IDM模式，在产物野心、工艺制造、测试及下贱利用等方面握续多半干预，建造了专有且无可相比的时间跳跃地位及轮廓运营上风，大要灵验闲隙市集强盛需求。

当作第三代半导体氮化镓立异的率领者，明天，英诺赛科将握续深耕，期待以愈加超卓的时间，助力更多行业厂商，打造更极致更优质的产物，共同鼓动行业创新及利用。

本文开头：财经报说念网一个色农夫导航