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德州仪器（TI）本日晓谕已启动在日本会津的工场分娩氮化镓（GaN）功率半导体。跟着会津厂插足分娩，加上位于德州达拉斯的现存GaN制失误业，TI 现针对GaN功率半导体的自有产能可增多至四倍之多。

TI 的时候与制造资深副总裁Mohammad Yunus默示：「以向上十年的GaN芯片谋略与制造专科常识，咱们已告捷考证8吋GaN时候，并在会津张开量产；这是现今扩展性最高且最具本钱竞争力的GaN制造时候。这个里程碑使咱们领有更多的GaN芯片自有产能，并在2030 年前将里面制造的比率擢升至95%以上，同期也让咱们可从多个TI据点进行采购，确保扫数高功率、节能半导体GaN居品组合的可靠供应。」

GaN作念为硅的替代决策，这款半导体材料可在好多边界中提供上风，包括节能、开关速率、电源处分决策尺寸与分量、合座系统本钱，以及在高温与高压要求下的性能等。 GaN芯片可提供更高的功率密度，也即是在更小的空间提供更多功率，使其能应用于条记型电脑或举止电话的电源转接器，或是更小、更节能的加热与空调系统和家用电器马达。

TI默示，当今TI已提供最庸俗的整合式GaN功率半导体居品组合，从低电压到高电压齐包含在内，借此齐备最为节能、可靠且具高功率密度的电子居品。

TI 的高电压电源副总裁Kannan Soundarapandian默示：「诓骗GaN，TI就能更有成果地在工整的空间中提供更高效的功率，这亦然鼓吹咱们繁多客户变嫌的主要市集需求。诸如伺服器电源、太阳能发电和AC/DC转接器等系统的谋略师正濒临必须要减少功耗并擢升动力成果的挑战，他们关于TI高性能GaN芯片可靠供应的需求也有加无已。TI的整合式GaN功率级居品组合让客户可齐备更高的功率密度、擢升易用性，并裁汰系统本钱。」

此外，凭借TI的专利硅基氮化镓制程、经由向上8000 万小时的可靠性测试，并具备整合式保护功能，TI的GaN芯片能确保高电压系统安全无虞。

TI强调，新产能使用现今市面上最先进的成就来制造GaN芯片，因此可擢升居品质能与制程成果，同期还能提供本钱上风。增多GaN制造范围的性能上风使其可将GaN芯片擢升至较高的电压，从900伏特启动，跟着时候推移增多至更高的电压，借此进一步鼓吹机器东说念主、再无邪力和伺服器电源等应用的动力成果与尺寸变嫌。

此外，TI的扩大投资包含于本年稍早在12吋晶圆上告捷进行GaN制造的试行功课。 TI握续扩大的GaN制程时候不错浪费调治至12吋晶圆上，让其能随时凭证客户需求进行休养，并在改日移转至透过12吋时候进行分娩。

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