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在半导体制造时刻限制，英飞凌再次得到了新的里程碑。近日杨超越 ai换脸，该公司宣告示捷推出大众最薄的硅功率晶圆，这一结巴性发达展示了英飞凌在半导体材料解决方面的超卓实力。

这款新推出的硅功率晶圆直径为300mm，厚度仅为20μm，相等于头发丝的四分之一，是当今市集上最先进的40-60μm晶圆厚度的一半。这一革命不仅代表了半导体材料加工时刻的极致，更为改日的电子居品野心提供了更多可能性。

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此前，英飞凌仍是宣布推出大众首款300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆，并在马来西亚居林建成了大众最大的200mm碳化硅（SiC）功率半导体晶圆厂。这次最薄硅功率晶圆的推出，进一步闲散了英飞凌在功率半导体限制的进局势位。

英飞凌暗意，这款最薄硅功率晶圆的推出，将为电子居品带来更高的性能和更低的功耗，助力收尾更平庸的掌握场景。改日杨超越 ai换脸，英飞凌将延续奋力于半导体时刻的革命与发展，为大众客户提供愈加优质的居品和劳动。